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IXYS

Transistor MOSFET canal P -200V -90A IXTK90P20P

Référence produit : IXTK90P20P
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-200V
Courant de drain-90A
Résistance à l'état passant28 mOhm (max)
Tension de seuil-2V à -4V
Charge de grille180 nC (typique)

Description technique du produit (IXTK90P20P):

Transistor MOSFET canal P -200V -90A IXTK90P20P. MOSFET de puissance à canal P conçu pour les applications de commutation à haute puissance, offrant une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.