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Transistor MOSFET canal P -100V -9.6A IRF9520NS-IR

Référence produit : IRF9520NS-IR
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-100V
Courant de drain continu-9.6A
Résistance à l'état passant0.30 Ohm
Tension de seuil de grille-2.0V à -4.0V
Charge de grille typique20 nC

Description technique du produit (IRF9520NS-IR):

Transistor MOSFET canal P -100V -9.6A IRF9520NS-IR. Transistor MOSFET de puissance à canal P, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une bonne robustesse.