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Transistor MOSFET canal P -100V -20A IRF5210S
Référence produit : IRF5210S
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 3.17 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.95 € | -7% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -100V |
| Courant de drain continu | -20A |
| Résistance à l'état passant | 0.09 Ohm |
| Tension de seuil | -2.0V à -4.0V |
| Charge de grille | 35 nC |
Description technique du produit (IRF5210S):
Transistor MOSFET canal P -100V -20A IRF5210S. MOSFET de puissance HEXFET à canal P conçu pour des applications de commutation robustes.