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Transistor MOSFET canal P -100V -12A IRF9530N

Référence produit : IRF9530N
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)-100V
Courant de drain continu (Id)-12A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.30 Ohm max à Vgs = -10V
Tension de seuil (Vgs(th))-2.0V à -4.0V
Charge de grille (Qg)30 nC typique

Description technique du produit (IRF9530N):

Transistor MOSFET canal P -100V -12A IRF9530N. Le IRF9530N est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.