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Transistor MOSFET canal P -1000V -4.2A IRFPG50PBF

Référence produit : IRFPG50PBF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source-1000V
Courant de drain continu-4.2A
Résistance à l'état passant3.5 Ohm
Tension de seuil de grille-3V à -5V
BoîtierTO-247

Description technique du produit (IRFPG50PBF):

Transistor MOSFET canal P -1000V -4.2A IRFPG50PBF. Le IRFPG50PBF est un transistor MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation haute tension et courant élevé. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.