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Mitsubishi Electric Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 900V 7A FS7KM-18A
Référence produit : FS7KM-18A
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 6.07 € | — |
| 50+Meilleur prix | 5.78 € | -5% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 900V |
| Courant de drain | 7A |
| Résistance à l'état passant | 1.8 Ohm |
| Tension de seuil | 2.0-4.0V |
| Charge de grille | 30 nC |
Description technique du produit (FS7KM-18A):
Transistor MOSFET Canal N 900V 7A FS7KM-18A. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et haute tension. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité accrue.