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ON Semiconductor

Transistor MOSFET Canal N 900V 60A NTHL020N090SC1

Référence produit : NTHL020N090SC1
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)900 V
Courant de drain continu (Id)60 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))20 mΩ
Tension de seuil (Vgs(th))3.7 V (typ)
Charge de grille (Qg)100 nC (typ)

Description technique du produit (NTHL020N090SC1):

Transistor MOSFET Canal N 900V 60A NTHL020N090SC1. Transistor MOSFET de puissance à canal N en carbure de silicium (SiC) conçu pour les applications à haute efficacité et haute densité de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille réduite, permettant des performances de commutation supérieures.