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Fairchild

Transistor MOSFET Canal N 900V 4A FQPF4N90C

Référence produit : FQPF4N90C
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)900V
Courant de drain (Id)4A
Résistance à l'état passant (Rds(on))3.2 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))3V à 5V
Charge de grille (Qg)20nC

Description technique du produit (FQPF4N90C):

Transistor MOSFET Canal N 900V 4A FQPF4N90C. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.