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Vishay (ir)
Transistor MOSFET Canal N 900V 3.1A IRFBF30PBF
Référence produit : IRFBF30PBF
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.83 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 900V |
| Courant de drain (Id) | 3.1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 4.5 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3.0V à 5.0V |
| Charge de grille (Qg) | 20 nC (typique) |
Description technique du produit (IRFBF30PBF):
Transistor MOSFET Canal N 900V 3.1A IRFBF30PBF. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute tension.