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Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET Canal N 900V 11A FQA11N90C
Référence produit : FQA11N90C
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 10.73 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 900 V |
| Courant de drain | 11 A |
| Résistance à l'état passant | 0.85 Ohm (max) |
| Tension de seuil de grille | 3.0 V à 5.0 V |
| Charge de grille | 55 nC (typ) |
Description technique du produit (FQA11N90C):
Transistor MOSFET Canal N 900V 11A FQA11N90C. Transistor MOSFET de puissance à canal N. Conçu pour les applications de commutation haute tension et haute vitesse, offrant une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.