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Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET Canal N 900V 11A FQA11N90-F109
Référence produit : FQA11N90-F109
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 7.26 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 900V |
| Courant de drain continu (Id) | 11A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.95Ω (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V à 5V |
| Charge de grille (Qg) | 60nC (typ) |
Description technique du produit (FQA11N90-F109):
Transistor MOSFET Canal N 900V 11A FQA11N90-F109. Le FQA11N90-F109 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.