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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 900V 10A 2SK2039

Référence produit : 2SK2039
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)900V
Courant de drain continu (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.2 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2.0-4.0V
Charge de grille (Qg)50nC (typ)

Description technique du produit (2SK2039):

Transistor MOSFET Canal N 900V 10A 2SK2039. Le 2SK2039 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de puissance.