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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 80V 100A STP100N8F6

Référence produit : STP100N8F6
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)80 V
Courant de drain continu (Id)100 A
Résistance à l'état passant (Rds(on))6.5 mΩ (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))2.5 V - 4.5 V
Charge de grille (Qg)60 nC (typ)

Description technique du produit (STP100N8F6):

Transistor MOSFET Canal N 80V 100A STP100N8F6. Le STP100N8F6 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances rapides.