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Transistor MOSFET Canal N 800V 6.8A IRFPE40

Référence produit : IRFPE40
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)800V
Courant de drain continu (Id)6.8A
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.4 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))2.0V - 4.0V
Charge de grille (Qg)60nC

Description technique du produit (IRFPE40):

Transistor MOSFET Canal N 800V 6.8A IRFPE40. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation haute tension et haute vitesse.