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Infineon Technologies

Transistor MOSFET Canal N 800V 6.2A SPP06N80C3

Référence produit : SPP06N80C3
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source800V
Courant de drain6.2A
Résistance à l'état passant0.8 Ohm
Tension de seuil3V à 5V
Charge de grille30 nC

Description technique du produit (SPP06N80C3):

Transistor MOSFET Canal N 800V 6.2A SPP06N80C3. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.