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Infineon Technologies

Transistor MOSFET Canal N 800V 4.5A IPA80R1K0CEXKSA2

Référence produit : IPA80R1K0CEXKSA2
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Caractéristiques techniques

3 paramètres
Tension drain-source (Vds)800V
Courant de drain (Id)4.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.0 Ohm

Description technique du produit (IPA80R1K0CEXKSA2):

Transistor MOSFET Canal N 800V 4.5A IPA80R1K0CEXKSA2. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation haute tension. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité élevée.