En stock
Vishay (ir)
Transistor MOSFET Canal N 800V 4.1A IRFBE30PBF
Référence produit : IRFBE30PBF
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 2.50 € | — |
| 10+Meilleur prix | 2.08 € | -17% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 800V |
| Courant de drain (Id) | 4.1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 2.4 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3.0V à 5.0V |
| Charge de grille (Qg) | 35 nC |
Description technique du produit (IRFBE30PBF):
Transistor MOSFET Canal N 800V 4.1A IRFBE30PBF. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute tension et haute vitesse.