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Transistor MOSFET Canal N 800V 4.1A IRFBE30
Référence produit : IRFBE30
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 2.27 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.09 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 800V |
| Courant de drain continu (Id) | 4.1A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 2.2 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V - 4V |
| Charge de grille (Qg) | 30 nC |
Description technique du produit (IRFBE30):
Transistor MOSFET Canal N 800V 4.1A IRFBE30. Le IRFBE30 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance.