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Stmicroelectronics
Transistor MOSFET Canal N 800V 2.7A STP3NB80
Référence produit : STP3NB80
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 2.17 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.99 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 800V |
| Courant de drain continu (Id) | 2.7A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 4.5 Ohm (max) |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2V à 4V |
| Charge de grille totale (Qg) | 15 nC (typ.) |
Description technique du produit (STP3NB80):
Transistor MOSFET Canal N 800V 2.7A STP3NB80. Le STP3NB80 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances efficaces.