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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 800V 10A STP11NM80

Référence produit : STP11NM80
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)800V
Courant de drain continu (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.65 Ohm (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))3V à 5V
Charge de grille (Qg)40 nC (typ)

Description technique du produit (STP11NM80):

Transistor MOSFET Canal N 800V 10A STP11NM80. Le STP11NM80 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les alimentations à découpage.