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Transistor MOSFET Canal N 75V 210A IRFB3207

Référence produit : IRFB3207
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source75V
Courant de drain continu210A
Résistance à l'état passant (Rds(on))2.4 mΩ (max)
Tension de seuil de grille (Vgs(th))2.0V à 4.0V
Charge de grille (Qg)210 nC (typ.)

Description technique du produit (IRFB3207):

Transistor MOSFET Canal N 75V 210A IRFB3207. MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute performance, offrant une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.