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Diodes Inc.

Transistor MOSFET Canal N 70V 4.7A ZXMN7A11GTA

Référence produit : ZXMN7A11GTA
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)70V
Courant de drain continu (Id)4.7A
Résistance à l'état passant (Rds(on))30mΩ
Tension de seuil (Vgs(th))1V - 3V
Charge de grille (Qg)10.5nC

Description technique du produit (ZXMN7A11GTA):

Transistor MOSFET Canal N 70V 4.7A ZXMN7A11GTA. Transistor MOSFET à canal N conçu pour des applications de commutation de puissance à faible tension et de gestion de l'énergie.