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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 70V 10A VNB10N07

Référence produit : VNB10N07
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source (Vds)70V
Courant de drain continu (Id)10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.18 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2V - 4V

Description technique du produit (VNB10N07):

Transistor MOSFET Canal N 70V 10A VNB10N07. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.