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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 700V 6A IPN70R600P7SATMA1
Référence produit : IPN70R600P7SATMA1
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.96 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.84 € | -6% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 700V |
| Courant de drain continu (Id) | 6A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 600mΩ |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V (typ.) |
| Charge de grille (Qg) | 19nC (typ.) |
| Boîtier | TO-220 FullPAK |
Description technique du produit (IPN70R600P7SATMA1):
Transistor MOSFET Canal N 700V 6A IPN70R600P7SATMA1. Transistor MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications à haute efficacité.