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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 65V 60A YJP65N06A
Référence produit : YJP65N06A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.85 € | — |
| 20 – 49 | 0.54 € | -36% |
| 50 – 99 | 0.49 € | -42% |
| 100 – 199 | 0.44 € | -48% |
| 200 – 499 | 0.42 € | -51% |
| 500+Meilleur prix | 0.40 € | -53% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 65 V |
| Courant de drain continu (Id) | 60 A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 12 mΩ (typ.) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2 V - 4 V |
| Charge de grille (Qg) | 40 nC (typ.) |
Description technique du produit (YJP65N06A):
Transistor MOSFET Canal N 65V 60A YJP65N06A. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute efficacité.