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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 650V 90A IPW65R018CFD7XKSA1
Référence produit : IPW65R018CFD7XKSA1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 52.37 € | — |
| 2 – 3 | 48.42 € | -8% |
| 4 – 5 | 45.29 € | -14% |
| 6 – 7 | 42.20 € | -19% |
| 8 – 9 | 39.90 € | -24% |
| 10 – 29 | 38.98 € | -26% |
| 30+Meilleur prix | 38.95 € | -26% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 650V |
| Courant de drain continu (Id) | 90A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 18 mΩ |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V (typ) |
| Charge de grille (Qg) | 190 nC (typ) |
Description technique du produit (IPW65R018CFD7XKSA1):
Transistor MOSFET Canal N 650V 90A IPW65R018CFD7XKSA1. Transistor MOSFET de puissance à canal N de 650V, optimisé pour les applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.