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Transistor MOSFET Canal N 650V 9.2A IRFB9N65A

Référence produit : IRFB9N65A
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.

Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source650V
Courant de drain9.2A
Résistance à l'état passant0.65Ω
Tension de seuil de grille3.0V à 5.0V
Charge de grille30nC

Description technique du produit (IRFB9N65A):

Transistor MOSFET Canal N 650V 9.2A IRFB9N65A. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute tension.