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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 650V 8A TK8A65D-STA4-Q-M

Référence produit : TK8A65D-STA4-Q-M
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source650V
Courant de drain continu8A
Résistance à l'état passant Rds(on)0.65Ω (max)
Tension de seuil de grille Vgs(th)2.5V à 3.5V
Charge de grille totale Qg20nC (typ)

Description technique du produit (TK8A65D-STA4-Q-M):

Transistor MOSFET Canal N 650V 8A TK8A65D-STA4-Q-M. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation à haute vitesse et haute tension. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité accrue.