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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 650V 6A TK6A65D

Référence produit : TK6A65D
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source650V
Courant de drain continu6A
Résistance à l'état passant Rds(on)1.2 Ohm (max)
Tension de seuil Vgs(th)2.0V à 4.0V
Charge de grille Qg18 nC (typ.)

Description technique du produit (TK6A65D):

Transistor MOSFET Canal N 650V 6A TK6A65D. Le TK6A65D est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance.