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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 650V 51A IPP65R065C7XKSA1
Référence produit : IPP65R065C7XKSA1
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 24.32 € | — |
| 2 – 3 | 22.19 € | -9% |
| 4 – 5 | 20.52 € | -16% |
| 6 – 9 | 18.89 € | -22% |
| 10 – 49 | 17.68 € | -27% |
| 50+Meilleur prix | 17.64 € | -27% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 650 V |
| Courant de drain continu | 51 A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 65 mΩ |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 3 V |
| Charge de grille (Qg) | 68 nC |
Description technique du produit (IPP65R065C7XKSA1):
Transistor MOSFET Canal N 650V 51A IPP65R065C7XKSA1. Transistor MOSFET de puissance à canal N de la série CoolMOS C7, conçu pour des applications de commutation haute performance.