En stock
IXYS
Transistor MOSFET Canal N 650V 200A IXXK200N65B4
Référence produit : IXXK200N65B4
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 24 | 43.50 € | — |
| 25+Meilleur prix | 42.12 € | -3% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 650V |
| Courant de drain continu (Id) | 200A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 19mΩ (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V - 5V |
| Charge de grille (Qg) | 200nC (typ) |
Description technique du produit (IXXK200N65B4):
Transistor MOSFET Canal N 650V 200A IXXK200N65B4. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.