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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 650V 12A YJF12N65HX
Référence produit : YJF12N65HX
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.57 € | — |
| 10 – 29 | 1.21 € | -23% |
| 30 – 49 | 1.08 € | -31% |
| 50 – 99 | 0.97 € | -38% |
| 100 – 199 | 0.90 € | -43% |
| 200+Meilleur prix | 0.86 € | -45% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 650V |
| Courant de drain (Id) | 12A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.5 Ohm (typ.) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 3V (typ.) |
| Charge de grille (Qg) | 35nC (typ.) |
Description technique du produit (YJF12N65HX):
Transistor MOSFET Canal N 650V 12A YJF12N65HX. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation haute tension et haute vitesse.