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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 60V 90A YJD90N06A
Référence produit : YJD90N06A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.90 € | — |
| 20 – 49 | 0.59 € | -34% |
| 50 – 99 | 0.54 € | -40% |
| 100 – 199 | 0.49 € | -46% |
| 200 – 299 | 0.46 € | -49% |
| 300 – 2499 | 0.44 € | -51% |
| 2500+Meilleur prix | 0.44 € | -51% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain | 90A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 6.5 mΩ (typ.) |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2.0V - 4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 70 nC (typ.) |
Description technique du produit (YJD90N06A):
Transistor MOSFET Canal N 60V 90A YJD90N06A. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour les applications de commutation à haute efficacité.