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Taiwan Semicon

Transistor MOSFET Canal N 60V 90A TSM900N06CW

Référence produit : TSM900N06CW
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)60V
Courant de drain continu (Id)90A
Résistance à l'état passant (Rds(on))5.5mΩ (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))2V à 4V
Charge de grille (Qg)70nC (typ)

Description technique du produit (TSM900N06CW):

Transistor MOSFET Canal N 60V 90A TSM900N06CW. Le TSM900N06CW est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances rapides.