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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 60V 80A IPI80N06S2-08
Référence produit : IPI80N06S2-08
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.90 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 80A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 8 mΩ (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.0V - 4.0V |
| Charge de grille (Qg) | typ. 60 nC |
Description technique du produit (IPI80N06S2-08):
Transistor MOSFET Canal N 60V 80A IPI80N06S2-08. Le IPI80N06S2-08 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et la gestion de moteurs.