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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 60V 80A IPB80N06S2-09
Référence produit : IPB80N06S2-09
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.93 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 80A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 7.9 mOhm (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V à 4V |
| Charge de grille (Qg) | 60 nC (typ) |
Description technique du produit (IPB80N06S2-09):
Transistor MOSFET Canal N 60V 80A IPB80N06S2-09. Transistor MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation à haute efficacité.