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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 60V 80A IPB80N06S2-08
Référence produit : IPB80N06S2-08
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 2.57 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 80A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 8 mΩ (max) |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2V - 4V |
| Charge de grille totale (Qg) | typ. 60 nC |
Description technique du produit (IPB80N06S2-08):
Transistor MOSFET Canal N 60V 80A IPB80N06S2-08. Le IPB80N06S2-08 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation haute performance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour une efficacité accrue.