En stock
Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 60V 80A IPB80N06S2-07
Référence produit : IPB80N06S2-07
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 3.36 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain | 80A |
| Résistance à l'état passant | 6.7 mΩ |
| Tension de seuil | 2.0V - 4.0V |
| Charge de grille | 60 nC |
Description technique du produit (IPB80N06S2-07):
Transistor MOSFET Canal N 60V 80A IPB80N06S2-07. Le IPB80N06S2-07 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée pour des performances de commutation rapides.