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Harris
Transistor MOSFET Canal N 60V 60A RFD3055LESM
Référence produit : RFD3055LESM
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.57 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain continu | 60A |
| Résistance à l'état passant | 18 mOhm (typ.) |
| Tension de seuil de grille | 2V - 4V |
| Charge de grille totale | 30 nC (typ.) |
Description technique du produit (RFD3055LESM):
Transistor MOSFET Canal N 60V 60A RFD3055LESM. Le RFD3055LESM est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant idéal pour les convertisseurs DC-DC, les contrôleurs de moteur et les applications de commutation générale.
