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Onsemi (fairchild)

Transistor MOSFET Canal N 60V 30A FDD5690

Référence produit : FDD5690
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)60V
Courant de drain continu (Id)30A
Résistance à l'état passant (Rds(on))20mΩ (typ.) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))1V à 3V
Charge de grille (Qg)15nC (typ.)

Description technique du produit (FDD5690):

Transistor MOSFET Canal N 60V 30A FDD5690. Le FDD5690 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs DC-DC et les applications de commutation de charge.