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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 60V 20A YJD20N06A
Référence produit : YJD20N06A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.65 € | — |
| 30 – 99 | 0.34 € | -48% |
| 100 – 199 | 0.30 € | -54% |
| 200 – 499 | 0.26 € | -60% |
| 500 – 2499 | 0.23 € | -65% |
| 2500+Meilleur prix | 0.22 € | -66% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 20A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | < 50mΩ à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V à 4V |
| Charge de grille (Qg) | ~15nC |
Description technique du produit (YJD20N06A):
Transistor MOSFET Canal N 60V 20A YJD20N06A. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.