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On Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 60V 18A NTD18N06LT4G
Référence produit : NTD18N06LT4G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.30 € | — |
| 10 – 2499 | 0.95 € | -27% |
| 2500+Meilleur prix | 0.92 € | -29% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 60 V |
| Courant de drain continu | 18 A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 60 mΩ |
| Tension de seuil Vgs(th) | 1.0 V à 2.0 V |
| Charge de grille Qg | 12 nC |
Description technique du produit (NTD18N06LT4G):
Transistor MOSFET Canal N 60V 18A NTD18N06LT4G. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute efficacité.