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Taiwan Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 60V 100A TSM048NB06LCR-RLG
Référence produit : TSM048NB06LCR-RLG
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 7.57 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain | 100A |
| Résistance à l'état passant | 4.8mΩ |
| Tension de seuil | 2.5V |
| Charge de grille | 50nC |
Description technique du produit (TSM048NB06LCR-RLG):
Transistor MOSFET Canal N 60V 100A TSM048NB06LCR-RLG. MOSFET de puissance à canal N à hautes performances, conçu pour les applications de commutation.