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Infineon Technologies
Transistor MOSFET Canal N 60V 1.5A BSP452-Q67000-S271
Référence produit : BSP452-Q67000-S271
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 3.00 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.75 € | -8% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60 V |
| Courant de drain continu (Id) | 1.5 A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.15 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1.5 V (typ.) |
| Charge de grille (Qg) | 4.5 nC (typ.) |
| Boîtier | SOT-223 |
Description technique du produit (BSP452-Q67000-S271):
Transistor MOSFET Canal N 60V 1.5A BSP452-Q67000-S271. Transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance.