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Infineon
Transistor MOSFET Canal N 60V 1.3A BSP89H6327
Référence produit : BSP89H6327
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.34 € | — |
| 10 – 99 | 0.98 € | -27% |
| 100 – 999 | 0.73 € | -46% |
| 1000+Meilleur prix | 0.61 € | -54% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source Vds | 60V |
| Courant de drain Id | 1.3A |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 0.2 Ohm |
| Tension de seuil Vgs(th) | 1.5V - 3V |
| Charge de grille Qg | 4.5 nC |
Description technique du produit (BSP89H6327):
Transistor MOSFET Canal N 60V 1.3A BSP89H6327. Transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.