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Infineon

Transistor MOSFET Canal N 60V 1.3A BSP135

Référence produit : BSP135
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source60V
Courant de drain continu1.3A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.2 Ohm max
Tension de seuil de grille (Vgs(th))1V à 2V
Charge de grille (Qg)3.5nC typique

Description technique du produit (BSP135):

Transistor MOSFET Canal N 60V 1.3A BSP135. Le BSP135 est un transistor MOSFET de puissance à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation rapide et de faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant adapté aux circuits logiques et aux applications nécessitant une efficacité énergétique.