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Transistor MOSFET Canal N 60V 0.5A MMBF170LT1G
Référence produit : MMBF170LT1G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.29 € | — |
| 100 – 999 | 0.22 € | -24% |
| 1000 – 2999 | 0.13 € | -55% |
| 3000+Meilleur prix | 0.12 € | -59% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 0.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 5 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.5nC (typ) |
Description technique du produit (MMBF170LT1G):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.5A MMBF170LT1G. Le MMBF170LT1G est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant adapté aux circuits logiques et aux applications de commutation générale.