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Transistor MOSFET Canal N 60V 0.5A BS170G
Référence produit : BS170G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.47 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.29 € | -38% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain continu | 500mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 5 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 3V |
Description technique du produit (BS170G):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.5A BS170G. Le BS170G est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance et d'interface logique. Il offre une haute impédance d'entrée et une commutation rapide.