En stock
Onsemi (fairchild)
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.5A BS170-D27Z
Référence produit : BS170-D27Z
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.47 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.31 € | -34% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 0.5A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 5 Ohm (max) à Vgs=10V, Id=0.2A |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 0.8V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.8nC (typ) |
Description technique du produit (BS170-D27Z):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.5A BS170-D27Z. Le BS170-D27Z est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance et de pilotage de charges. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille basse, le rendant compatible avec les niveaux logiques.