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Transistor MOSFET Canal N 60V 0.5A BS170
Vendu par lot de 20 (le prix affiché est pour un lot de 20)
Référence produit : BS170
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 6.12 € | — |
| 2 – 9 | 5.92 € | -3% |
| 10 – 49 | 5.29 € | -14% |
| 50 – 99 | 4.78 € | -22% |
| 100+Meilleur prix | 4.66 € | -24% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 60V |
| Courant de drain continu | 0.5A |
| Résistance à l'état passant | 5 Ohm (max) à Vgs=10V, Id=0.2A |
| Tension de seuil de grille | 0.8V à 3.0V |
| Charge de grille | 1.8 nC (typ) |
Description technique du produit (BS170):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.5A BS170. Le BS170 est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance et d'amplification. Il est caractérisé par une faible tension de seuil et une résistance à l'état passant modérée, ce qui le rend adapté aux interfaces logiques et aux petits circuits de commutation.
. Vendu par lot de 20 (le prix affiché est pour un lot de 20)